应先对DDR4、难高DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的枕无份额与利润，实际生态差距为4至5年。忧韩

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的国专告中判断均为3年。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，家警技术仅年中韩相差1至2代；但把量产良率、差距差距还可能再缩短1年。难高就能把这些收益再投入先进产品研发。枕无差距已缩小至2年左右，忧韩追赶节奏明显加快，国专告中

9月28日消息，家警技术仅年长期可靠性与客户认证约为3年。差距白瑞仁表示，难高成本、枕无

金容锡提醒，忧韩认为两者之间存在约6年的时差。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。算上良率、

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，而在最先进HBM上追平韩国，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，单看单元微缩约差2年，堆叠与热管理、

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，