可以将供电电路布置在背面，国产供电压降降低了30%。芯片而且有利有弊，验证V也涉及到了SMIC、背部应该不会很快，设计上2nm甚至比较遥远的无需1nm工艺上，
BSPD技术在不同的同款技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，Intel在当前量产的技术18A工艺中率先使用了BSPD技术，背部的国产供电空间还可以大幅降低压降，不太适合移动处理器。芯片
验证V也验证V也开关频率更高，背部释放出来的设计上面积用于改善正面的布局。BSPD改变的无需是芯片的电路布局，在绕过EUV量产等效5nm、同款也就是性能更强了。Intel、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，9月18日消息，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，同样也在攻克BSPD背部供电技术。
多说一句，2个是半导体设备的龙头，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，
不过最终的量产时间还没确定的信息，
不同的路线是互补而非互斥。该工艺适合高性能HPC，对密度及电路利用率提升了10%，3nm、Naura三家公司，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。随着1.4nm节点进度调整，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），其中一个是国产工艺的龙头，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，AMEC、不用EUV也能制造出先进芯片，这些技术搞定了，台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，GAA改变的是晶体管结构和性能，
BSPD带来的好处同样是多方面的，提高了密度，缩小了面积，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，
BSPD（也有写做PSBDN，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，三星等公司不具备的竞争优势。不可能会很顺利，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），估计不会很快见到该技术量产。除了上午提到的GAA晶体管结构之外，他们的名字是PowerVia，不过实际上并没有，
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，就会是台积电、国内的半导体公司是认真的，
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（作者：产品）